7月29日，由全國(guó)新能源汽車(chē)運(yùn)營(yíng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主辦，中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)網(wǎng)承辦的“2017中國(guó)綠色物流供應(yīng)鏈產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨全國(guó)新能源汽車(chē)運(yùn)營(yíng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會(huì)”在浙江杭州舉行。中國(guó)科學(xué)院電工研究所高級(jí)工程師劉鈞在大會(huì)上做了“淺談技術(shù)創(chuàng)新對(duì)降低電機(jī)控制器成本的重要作用”的主題演講。

一．背景概述

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能直接決定了車(chē)輛的性能。是支撐電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)體系的三項(xiàng)關(guān)鍵共性技術(shù)之一。在要求方面，有高性能、可靠、低成本等；在高性能方面，良好的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)性能保證車(chē)輛的動(dòng)力性、增加車(chē)輛續(xù)駛里程；在可靠性、安 全性方面，直接影響到車(chē)輛的可用性和用戶(hù)的接受度；在低成本方面，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的成本將影響到新能源汽車(chē)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

二、淺談降低成本的技術(shù)創(chuàng)新途徑

1. 美國(guó)DOE電驅(qū)系統(tǒng)成本目標(biāo)

2. 電驅(qū)系統(tǒng)成本構(gòu)成

控制器成本降低的主要技術(shù)途徑包括：(1)有效提升現(xiàn)有材料利用率及國(guó)產(chǎn)化率(Si基IGBT與電容組件)；(2)功率控制總成與動(dòng)力總成集成創(chuàng)新；（3）基于第三代半導(dǎo)體技術(shù)的全SiC控制器。

3. 提升Si基IGBT模塊的材料利用率

創(chuàng)新的IGBT封裝技術(shù)提升芯片單位面積電流承載能力，同時(shí)芯片工作結(jié)溫Tjop從125℃提升至175℃。

塑封/雙面冷卻封裝技術(shù)是被看好的規(guī)?；统杀痉桨钢?；同時(shí)Tj在線(xiàn)檢測(cè)(芯片集成溫度傳感器與損耗/熱阻模型計(jì)算相結(jié)合)，減小設(shè)計(jì)余量。另外采用量大價(jià)廉的塑封分立器件（如特斯拉），可有效降低模塊成本(估計(jì)>30%以上)。

4. 提高Si基IGBT模塊國(guó)產(chǎn)化率

IGBT 國(guó)際廠(chǎng)商優(yōu)勢(shì)明顯，國(guó)內(nèi)發(fā)展?jié)摿薮?，目前，?guó)內(nèi)已形成了 IDM 模式和代工模式的 IGBT 完整產(chǎn)業(yè)鏈。以中車(chē)、比亞迪為代表的廠(chǎng)商已成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)IGBT在高鐵和新能源汽車(chē)中的應(yīng)用，新能源汽車(chē)/軌交市場(chǎng)需求加速I(mǎi)GBT國(guó)產(chǎn)替代。

中科院電工所功率器件檢測(cè)中心是目前國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)門(mén)針對(duì)高壓大功率半導(dǎo)體器件的國(guó) 家級(jí)CNAS認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室，檢測(cè)中心對(duì)外服務(wù)的企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)已超過(guò)30家，可提供工況下IGBT模塊壽命預(yù)測(cè)與實(shí)測(cè)。國(guó)內(nèi)IGBT廠(chǎng)商委托測(cè)試需求日益增加，產(chǎn)品成熟度快速提高。

5. 提高電容及疊層母排散熱能力

疊層母排兼有機(jī)械連接、電氣與有效熱傳導(dǎo)作用，通過(guò)導(dǎo)熱絕緣材料將母排壓接在散熱底板上，可以有效提高電容紋波電流、減小銅排尺寸。

6. 功率控制總成與動(dòng)力總成集成創(chuàng)新

電機(jī)+控制器+減速器（或變速箱）的乘用車(chē)動(dòng)力總成集成方案；主驅(qū)+油泵+氣泵+DCDC+高壓配電的多合一商用車(chē)功率控制總成(PCU)方案均能有效降低系統(tǒng)成本。

7. 第三代半導(dǎo)體SiC控制器

一代芯片、一代模塊、一代系統(tǒng)，SiC為代表的第三代半導(dǎo)體可以高效、高速、高溫工作，采用先進(jìn)封裝技術(shù)可以數(shù)倍提升Si控制器功率密度(2020年國(guó)內(nèi)目標(biāo)為≥30kW/L，裝車(chē)≥1000套)。SiC+先進(jìn)封裝技術(shù)可以有效降低控制器損耗，數(shù)倍提升控制器功率密度，規(guī)模化的系統(tǒng)綜合成本是有優(yōu)勢(shì)的。

我國(guó)SiC芯片、模塊及控制器技術(shù)發(fā)展迅速，產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)速度加快，與國(guó)際成熟技術(shù)差距不斷縮小。